F1.1-PIM
额定电压: 650V
额定电流: 15A
电路结构: PJ=3 Phase Rectifier + Brake + 3 Phase Open Emitter Output
芯片系列: X=Trench FS IGBT, Low Loss
产品编号:GD15PJX65F1S

C1.0-Half Bridge
额定电压: 1200V
额定电流: 150A
电路结构: HF=Half Bridge
芯片系列: Y=Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
产品编号:GD150HFY120C1S

L2.2-PIM
额定电压: 650V
额定电流: 10A
电路结构: PJ=3 Phase Rectifier + Brake + 3 Phase Open Emitter Output
芯片系列: X=Trench FS IGBT, Low Loss
产品编号:GD10PJX65L2S

1200V/10A PIM in one-package
特征
低 VCE(sat) 沟槽 IGBT 技术
10μs短路能力
VCE(sat) 具有正温度系数
最高结温175oC
低电感案例
快速软反向恢复反并行FWD
采用 DBC 技术的隔离散热器

C1.0-Half Bridge
额定电压: 650V
额定电流: 150A
电路结构: HF=Half Bridge
芯片系列: X=Trench FS IGBT, Low Loss
产品编号:GD150HFX65C1S

C1.0-Half Bridge
额定电压: 1200V
额定电流: 100A
电路结构: HF=Half Bridge
芯片系列: Y=Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
产品编号:GD100HFY120C1S
http://www.powersemi.cc/hchi_admin/upfile/GD100HFY120C1S.pdf

C6.3.PIM
额定电压: 1200V
额定电流: 100A
电路结构: PIM
芯片系列: Y Trench IGBT Low Power
产品编号:GD100PIY120C6SN

可变电阻

可变电阻

可变电阻

Hard switching IGBT, TO-247, 1200V, 25A