C6.3-PIM
额定电压: 1200V
额定电流: 50A
电路结构: PI=3 Phase Rectifier + Brake + 3 Phase Output
芯片系列: Y=Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
产品编号:GD50PIY120C6SN

C5.3.PIM
额定电压: 1200V
额定电流: 50A
电路结构: PIM
芯片系列: Y Trench IGBT Low Power
产品编号:GD50PIY120C5SN

C2.0.Half Bridge
额定电压: 1200V
额定电流: 300A
电路结构: Half Bridge
芯片系列: U Ultra Fast IGBT
产品编号:GD300HFU120C2S

C5.3.PIM
额定电压: 1200V
额定电流: 25A
电路结构: PIM
芯片系列: T Trench IGBT Medium Power
产品编号:GD25PIT120C5SN

C8.1-Half Bridge
额定电压: 1200V
额定电流: 200A
电路结构: HF=Half Bridge
芯片系列: Y=Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
产品编号:GD200HFY120C8SN

C2.0.Half Bridge
额定电压: 1200V
额定电流: 200A
电路结构: Half Bridge
芯片系列: U Ultra Fast IGBT
产品编号:GD200HFU120C2S

C2.0-Half Bridge
额定电压: 1200V
额定电流: 200A
电路结构: HF=Half Bridge
芯片系列: X=Trench FS IGBT, Low Loss
产品编号:GD200HFX120C2S

F3.0-PIM
额定电压: 1200V
额定电流: 15A
电路结构: PJ=3 Phase Rectifier + Brake + 3 Phase Open Emitter Output
芯片系列: Y=Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
产品编号:GD15PJY120F3S

C1.0-Half Bridge
额定电压: 1200V
额定电流: 150A
电路结构: HF=Half Bridge
芯片系列: Y=Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
产品编号:GD150HFY120C1S

1200V/10A PIM in one-package
特征
低 VCE(sat) 沟槽 IGBT 技术
10μs短路能力
VCE(sat) 具有正温度系数
最高结温175oC
低电感案例
快速软反向恢复反并行FWD
采用 DBC 技术的隔离散热器

C1.0-Half Bridge
额定电压: 1200V
额定电流: 100A
电路结构: HF=Half Bridge
芯片系列: Y=Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
产品编号:GD100HFY120C1S
http://www.powersemi.cc/hchi_admin/upfile/GD100HFY120C1S.pdf

C6.3.PIM
额定电压: 1200V
额定电流: 100A
电路结构: PIM
芯片系列: Y Trench IGBT Low Power
产品编号:GD100PIY120C6SN